活性氧化鋁的改性

   γ-Al2O3轉(zhuǎn)化為0-A12O;高溫，增加密度、表面積、孔隙結(jié)構(gòu)破壞和損失的活動,為了克服這一系列的問題,從世界各地進(jìn)行改性氧化鋁的研究,主要采用的方法是:改變制備方法,添加添加劑穩(wěn)定結(jié)構(gòu)在制備的過程中被修改,選擇合適的氧化鋁前體。

一，改變制備方法.

   采用不同的制備方法，活化氧化鋁的特殊表面積、吸附、孔隙大小和孔徑不同的活性氧化鋁性能，從而可以制備出制備方法的變化，主要是活性氧化鋁顆粒的結(jié)構(gòu)和穩(wěn)定性，以及吸附能力和方便的變化。利用不同負(fù)載的方法制備的介孔氧化鋁催化劑的結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行了研究，兩種原位負(fù)載和過度浸鎳金屬有序介孔氧化鋁催化劑的制備方法。根據(jù)XRD光譜分析，該催化劑的合成是預(yù)先確定的，過量浸漬法的衍射峰值并不明顯。這是因?yàn)樵缓铣煞ㄖ粫淖兛紫侗诓牧系某煞?/span>,不會影響介孔結(jié)構(gòu)的形成。在這種情況下，超載的方法是由于用鎳填充孔的過程破壞了原來的一維秩序通道，使得孔隙結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)不規(guī)則，而信道的順序也很差。劉永登研究了鍶的不同制備方法對改性氧化鋁的高溫和熱穩(wěn)定性的影響，以及用溶膠-凝膠法、溶膠-凝膠法、浸漬法等三種方法制備樣品的晶體相結(jié)構(gòu)。結(jié)果表明，在鍶品種引入后，樣品中Al2O3的衍射峰值強(qiáng)度明顯減弱，并降低了溶膠凝膠>浸漬法的順序。原因可能是分散化SrO抑制了Al2O3的燒結(jié)和θ相，增加了A12O3的熱穩(wěn)定

二，添加助劑

   添加劑的引入是提高氧化鋁穩(wěn)定性的重要途徑之---。經(jīng)過多年的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，用于改善氧化鋁添加劑的熱穩(wěn)定性有稀土金屬氧化物、堿金屬氧化物過渡金屬氧化物、二氧化硅和其他氧化物。

  三， 稀土元素對活性氧化鋁的改性

稀土元素是最常用的添加劑之一，而對稀土元素的研究則更多地集中在La元素上。在高溫下可以直接插入陽離子缺陷A12O3 尖晶石結(jié)構(gòu)，占據(jù)緊密的填充氧離子，從而減少了A12O3晶格離子的活性。稀土元素La,Ce,Yb,Pr和Sm都穩(wěn)定了Al2O3的結(jié)構(gòu)，研究發(fā)現(xiàn)，La改性是最好的，Pr第二，而Ce,Yb,Sm不是很有效。這個(gè)序列與稀釋的元素離子半徑，La>Pr>，> Yb, >Ce，表示離子半徑越大越好。此外，離子價(jià)也可能影響其穩(wěn)定性這主要是由于離子半徑和高價(jià)態(tài)會降低離子的流動，而離子的流動可以在氧化鋁表面高溫下固定，以防止氧化鋁燒結(jié)。

  四，堿土金屬對活性氧化鋁的改性

    堿:土金屬氧化物也發(fā)現(xiàn)鋁的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定型，英航,S,和Ca。研究發(fā)現(xiàn)，英航的穩(wěn)定性最強(qiáng),Sr中心,Ca是最差的堿金屬氧化物半徑是一樣的表面積與稀土金屬氧化物。在Al2O3中，包爾穩(wěn)定的原因也有不同。許多學(xué)者認(rèn)為，保與Al2O3高溫固體相反，應(yīng)該產(chǎn)生6個(gè)氧化鋁，這是保有穩(wěn)定作用的根本原因。在磁鐵型鉛中存在六鋁層屬于六邊形層狀結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)由尖晶石切割的鏡面、鏡面所含的陽離子半徑大。根據(jù)這個(gè)結(jié)構(gòu)，晶體在Z軸.上生長，這是強(qiáng)抑制的，這意味著晶體會在Z軸上以晶體的形式緩慢地生長。晶體生長的各向異性是在六鋁酸鹽高溫下表面積的原因。但文獻(xiàn)發(fā)現(xiàn)，氧化鋁的前體形態(tài)是不一樣的，保作用的穩(wěn)定性有很大的影響，因此得出的結(jié)論是，六氧化鋁的形成可能不是結(jié)論的基本特征的A12O3高溫穩(wěn)定性。Arai ( Aria H，Machida M，et al.,1996)認(rèn)為，在高溫下通過抑制Al2O3穩(wěn)定性的身體相擴(kuò)散，高溫固體而應(yīng)該產(chǎn)生6個(gè)鋁酸也具有特殊的熱穩(wěn)定性。

  二氧化硅對活性氧化鋁的改性

    二氧化硅在穩(wěn)定A12O3上也很有效。阿馬托相信，二氧化硅可以產(chǎn)生一層玻璃.表層，可以抑制Al2O3 相變。約翰遜認(rèn)為，二氧化硅可以抑制A12O3 表面羥基，從而抑制燒結(jié)。水蒸氣,Beguin二氧化硅由于高溫(1220°C)穩(wěn)定的氧化鋁表面l(OH)被替換的Si(OH)不容易移動并形成過程中脫羥基Si- O- Si或Si- 0- A1橋，消除了A12O3表面的陰離子卒中。

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